Regolatore µModule per memorie DDR e SRAM QDR4

Regolatore µModule per memorie DDR e SRAM QDR4 funziona nel range da

3,3V_IN a 15V_IN, ed è adatto ai circuiti stampati da 0,5cm²

Linear Technology presenta l'LTM4632, un regolatore µModule (modulo di potenza) a tre uscite per l'alimentazione di tutti e tre i rail di tensione della nuova memoria QDR4 e delle meno recenti SRAM DDR: VDDQ, VTT e VTTR (oppure VREF). Contenuto in un package LGA miniaturizzato ultrasottile e leggerissimo (6,25mm x 6,25mm x 1,82mm), l'LTM4632 può essere saldato sul lato posteriore della scheda a circuiti stampati; inoltre, con una resistenza e tre condensatori, occupa solo 0,5cm² (dual-sided) o 1cm² (single-sided). E’ in grado di fornire VDDQ da 3A e VTT da ±3A (=1/2*VDDQ), due LTM4632 collegati in parallelo possono fornire fino a 6A per rail per i banchi di memoria di dimensioni maggiori. Per VDDQ superiori a 6A, l'LTM4632 può essere configurato con l'LTM4630 per fornire VDDQ tra 18A e 36A per array SRAM molto estesi. Se VDDQ è già disponibile, l'LTM4632 può essere configurato per alimentare un'uscita VTT singola a due fasi fino a 6A.

L'LTM4632 funziona da un'alimentazione di ingresso di 3,3V e da ingressi standard da 5V e 12V (fino a 15V). Ciascuna delle due tensioni di uscita (VDDQ e VTT) sono comprese tra 0,6V e 2,5V. La terza è un'uscita da 10mA con buffer e a basso rumore per la VTTR della SRAM. Le applicazioni includono PCIe, sistemi basati sul cloud, RAID, elaborazione video e connessioni di rete che utilizzano queste memorie SRAM: DDR/DDR-II/DDR-III/DDR4/QDR/QDR-II/QDR-II+ e QDR4.

L'LTM4632 contiene un regolatore DC/DC a tre uscite, un circuito diviso per 2, switch di potenza, induttori e componenti di supporto in un package ultrasottile. L'LTM4632 supporta un range di temperature –40℃÷125℃. I prezzi partono da $7,35/cad. per 1.000 pezzi per la versione di grado E e da $8,09/cad. per la versione di grado I. Per maggiori informazioni, visitare la pagina www.linear.com/product/LTM4632.

Riepilogo delle caratteristiche: LTM4632

·       Soluzione completa per l'alimentazione delle memorie DDR/QDR4 in 1cm² (circuito stampato single-sided) o 0,5cm² (circuito stampato dual-sided)

·       VDDQ da 3A + VTT da 3A oppure VTT da 6A singola a doppia fase

·       Ampio range di tensioni di ingresso: da 3,6V (con V_IN associata a INTV_CC) a 15V

·       Range ditensioni di uscita comprese tra 0,6V e 2,5V

·       ±1,5%, ±10mA con buffer VTTR = uscita VDDQ/2

·       Sincronizzazione esterna della frequenza

·       Package LGA ultrasottile di 6,25mm x 6,25mm x 1,82mm