La scheda gate driver isolata ad alta potenza e alta tensione di Analog Devices per i power module SiC di Microsemi riduce il time to market

La scheda gate driver isolata ad alta potenza e alta tensione di Analog Devices per i power module SiC di Microsemi riduce il time to market

Analog Devices in collaborazione con Microsemi Corporation ha presentato oggi, per la prima volta sul mercato, una scheda di valutazione per moduli di potenza SiC half-bridge fino a 1200 V e 50 A @ 200 kHz di frequenza di commutazione. La scheda isolata è strutturata per aumentare l'affidabilità dei progetti, riducendo nel contempo la necessità di costruire ulteriori prototipi — risparmiando tempo, riducendo i costi e il "time to market" delle aziende impegnate nella conversione di potenza e nei sistemi di energy storage. 

Questa nuova scheda può essere utilizzata come il componente principale di topologie più complesse, come convertitori full-bridge o multi-livello, per il completo debug su banco delle soluzioni degli utenti. Può anche funzionare come piattaforma di valutazione finale o configurata come convertitore per il test e la valutazione completa del gate driver ADuM4135 di Analog Devices, realizzato con la tecnologia di isolamento digitale iCoupler^®, e del driver DC-DC LT3999 in un sistema High-Power.

La scheda di valutazione ad alta potenza permette ai moduli power SiC di Microsemi di offrire diversi vantaggi, come un banco prova comune, maggiore densità energetica per ottenere dimensioni e costi ridotti, substrati isolati e conduttivi e capacità parassite ridotte al minimo per efficienza e prestazioni più elevate; il tutto unito a un'eccellente gestione termica. Questi attributi rendono la scheda particolarmente adatta ad applicazioni quali la carica dei veicoli elettrici (EV), la ricarica a bordo degli ibridi (HEV)/EV, convertitori DC-DC, alimentatori switching, controllo dei motori di alta potenza e sistemi di attuazione per avionica, macchine da lavorazione plasma/semi, sistemi laser e per saldatura, apparati MRI e a raggi-X.

Specifiche di prodotto

• Topologia Half-bridge
• 1200 V, 50 A@ 200 kHz
• CMTI >100 kV/µs 
• Isolamento galvanico 1,2 kV 
• Ingressi PWM indipendenti per High Side e Low Side (controllo singolo con 70 ns di dead-time per controllo)
• 1 LT3999 + 1 ADuM4135 (High Side e Low Side)
• Protezione dalla de-saturazione completamente testata
• Terminali per i collegamenti V+, V- e AC a bassa induttanza e alta corrente 
• Supporta i moduli di potenza SiC half-bridge di Microsemi con package standard SP1 come l'APTMC120AM20CT1AG e l'APTMC120AM55CT1AG